Одноатомный транзистор
Ученым из Национального института стандартов и технологий (NIST) удалось создать одноатомный транзистор.
Одноатомный транзистор позволят создать компьютеры нового поколения с огромным объемом памяти и мощностью.
Ученые NIST продемонстрировали точность регулирования скорости, с которой отдельные электроны протекают через физический зазор или электрический барьер в транзисторе. Это квантовое явление (известное как квантовое туннелирование) становится возможным только когда зазоры чрезвычайно малы, — например, в миниатюрных транзисторах.
Контроль скорости электронов является ключевым свойством миниатюрных транзисторов, поскольку она влияет на их способность создавать квантовую запутанность.
Для изготовления одноатомных транзисторов ученые использовали технику, при которой кремниевый чип покрывается слоем атомов водорода, легко связывающихся с кремнием.
С помощью тонкого наконечника сканирующего туннельного микроскопа исследователи затем удалили атомы водорода в выбранных местах. Оставшийся водород действовал как барьер.
Ведущий автор исследования, Сицяо Ванг, прокомментровал данное исследование следующим образом: «Поскольку квантовое туннелирование является основополагающим для любого квантового устройства, включая построение кубитов, способность контролировать поток одного электрона за раз является значительным достижением. Мы считаем, что наш метод нанесения слоев обеспечивает более стабильные и точные устройства атомного масштаба. Это сложный процесс, но мы наметили этапы работ для того, чтобы другим командам не приходилось действовать методом проб и ошибок».
Подробности на сайте NIST https://www.nist.gov/
